製品案内

幅広くさまざまな機能を備えた上で、構造設計上随所に工夫を凝らしてありますので、非常に使い易い装置です。

電子デバイスの薄膜形成・GMR等の研究用・高温超伝導体等の新しい材料の創製技術用としてご利用頂けます。

ターゲットポジショニング回転機構の開発により、１つの電極を用いて５つのターゲットのDC・RF両方式のマグネトロンスパッタが可能です。

又、基板ホルダーは回転し、速度も選択できます。

■ 成膜室

１．到達圧力 1.5×10⁻⁶Pa

２．基板寸法 2インチ

３．基板加熱温度 600℃

４．ヒーター材質 ランプヒーター

５．ターゲット 3インチ×5基（モーター駆動）

６．排気系 TMP500L/sec　　R.P250L/min

■ ロードロック室

７．到達圧力 6.6×10⁻⁵Pa

８．排気系 TMP60L/sec　　R.P90L/min

■ オプション

９．冷却機構付基板ホルダー　/　加熱冷却機構付基板ホルダー　/　機構　/　UHV対応型　/　ラジカル源 / 防着板