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製品案内

Product information

窒化ガリウム製膜装置   EW-500GN

概要

本装置は窒化ガリウム(GaN)成膜を目的とした超高真空成膜装置です。

特徴としてはGaをはじめ最大8基の蒸発源(セル)を装備でき、窒化源はラジカルビーム源(ラジカル効率を高めるイオントラッパー機構付き)を採用しております。

チャンバーの冷却には水冷ジャケット(オプションで液体窒素シュラウド選択可能)です。

 

製品仕様

1. 到達圧力:ロードロックチャンバー・・・5×10⁻⁵Pa 成膜室・・・7×10⁻⁸Pa
2. 基板寸法:φ1インチ~φ3インチ対応・基板加熱温度:max1000℃
3. 蒸発源:最大Kセル8基装備可能・窒化源:ラジカルビーム源(RF電源、N2ガス供給ライン付属)
4. 測定機器:分子線束モニター、真空計
5. 付属品:ベーキングシステム、冷却水供給システム
6. 成膜ソフト:オプション


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