製品案内

本装置は窒化ガリウム（GaN）成膜を目的とした超高真空成膜装置です。

特徴としてはGaをはじめ最大8基の蒸発源（セル）を装備でき、窒化源はラジカルビーム源（ラジカル効率を高めるイオントラッパー機構付き）を採用しております。

チャンバーの冷却には水冷ジャケット(オプションで液体窒素シュラウド選択可能）です。

 

１. 到達圧力：ロードロックチャンバー・・・5×10⁻⁵Pa　成膜室・・・7×10⁻⁸Pa
２. 基板寸法：φ1インチ～φ3インチ対応・基板加熱温度：max1000℃
３. 蒸発源：最大Kセル8基装備可能・窒化源：ラジカルビーム源（RF電源、N2ガス供給ライン付属）
４. 測定機器：分子線束モニター、真空計
５. 付属品：ベーキングシステム、冷却水供給システム
６. 成膜ソフト：オプション