製品案内

CVD法による高品質ポリパラキシレン薄膜の成膜装置です。

電子デバイス内の各種絶縁部材(ゲート絶縁層等)や封止に最適。

ご要望に応じて、大量の基板へのバッチ処理や大型基板への対応も可能です。

詳細につきましては、お問い合わせフォームもしくはお電話にてお気軽にお問い合せ下さい。

１. 到達圧力 10⁻⁵Pa台

２. チャンバー寸法φ253×350mm程度

３. 高分子蒸着源 石英管50×1000mm程度

４. 気化炉 気化　～180℃

５. 分解炉 熱分解650～750℃

６. チラーユニット 温度設定範囲‐20℃～30℃

７. コールドトラップ 4インチ