製品案内

小型で広い設置面積を必要とせず、構造を簡略化して操作しやすいように考慮され、しかもMBE、MOMBEによるエピタキシー膜の生成など、高度なパフォーマンスが期待できる優れた真空装置です。

■ メインチャンバー

１．到達圧力 10⁻⁶Pa台

２．基板寸法 2インチ

■ オプション

３．基板加熱温度 ランプヒーター（～500℃）、Taヒーター（～800℃）

４．排気系 TMP210L/sec　　R.P162L/min

５．横型セル ルツボ容量　1cc　/　最高加熱温度1600℃（3分間）