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製品案内

Product information

MBE装置   EW-100S

概要

本装置は、高純度のSi/Geを効率良く成膜するのに適した装置です。

低融点物質は勿論、酸化物から高融点金属まで幅広い材料が使用できる集束EBガン2基を有し、尚且つKセルも最大4本まで取り付けられます。

冷却用として、液体窒素の代わりに水を使用しておりますので、ランニングコストも非常に経済的です。

製品仕様

■ 成膜室

1.到達圧力 10⁻⁸Pa

2.基板寸法 2インチ

3.基板加熱温度 1000℃

4.ヒーター材質 Taヒーター

5.排気系 IP500L/sec

■ 集束EBガン

6.印加電圧 ~15kV、0.3A

7.フィラメント Focus、Sweep付

■ ロードロック室

8.到達圧力 10⁻⁵Pa

9.排気系 TMP210L/sec  R.P162L/min

■ オプション

10.RHEED / セル / 膜厚モニター


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