製品案内

・ＣＶＤ法による高品質ポリパラキシリレン薄膜の成膜装置です。

・電子デバイス内の各種絶縁部材（ゲート成膜層等）や封止に最適です。　　

・ご要望に応じて、大量の基板へのバッチ処理や大型基板への対応も可能です。

・詳細につきましては、お問合せフォームもしくはお電話にてお気軽にお問合せ下さい。　　　　　　　  　　　　　　　　　　　　　　　　　　

　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　

1. 到達圧力　　　　：1.0Pa以下
2. チャンバー寸法　：φ800×800mm程度
3. 気化炉　　　　　：最高250℃
4. 分解炉　　　　　：最高750℃
5. コールドトラップ：-80℃