製品種別:スパッタリング装置 製品種別詳細:超高真空マルチターゲットスパッタリング |
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概要 | 幅広くさまざまな機能を備えた上で、構造設計上随所に工夫を凝らしてありますので、非常に使い易い装置です。 電子デバイスの薄膜形成・GMR等の研究用・高温超伝導体等の新しい材料の創製技術用としてご利用頂けます。 ターゲットポジショニング回転機構の開発により、1つの電極を用いて5つのターゲットのDC・RF両方式のマグネトロンスパッタが可能です。 又、基板ホルダーは回転し、速度も選択できます。 |
仕様 | ■ 成膜室 1.到達圧力 1.5×10-6Pa 2.基板寸法 2インチ 3.基板加熱温度 600℃ 4.ヒーター材質 ランプヒーター 5.ターゲット 3インチ×5基(モーター駆動) 6.排気系 TMP500L/sec R.P250L/min ■ ロードロック室 7.到達圧力 6.6×10-5Pa 8.排気系 TMP60L/sec R.P90L/min ■ オプション 9.冷却機構付基板ホルダー / 加熱冷却機構付基板ホルダー / 機構 / UHV対応型 / ラジカル源 / 防着板 |
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