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EW-100S

製品種別:MBE  製品種別詳細:MBE

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概要 本装置は、高純度のSi/Geを効率良く成膜するのに適した装置です。
低融点物質は勿論、酸化物から高融点金属まで幅広い材料が使用できる集束EBガン2基を有し、尚且つKセルも最大4本まで取り付けられます。
冷却用として、液体窒素の代わりに水を使用しておりますので、ランニングコストも非常に経済的です。
仕様 ■ 成膜室
1.到達圧力 10-8Pa
2.基板寸法 2インチ
3.基板加熱温度 1000℃
4.ヒーター材質 Taヒーター
5.排気系 IP500L/sec
■ 集束EBガン
6.印加電圧 〜15kV、0.3A
7.フィラメント Focus、Sweep付
■ ロードロック室
8.到達圧力 10-5Pa
9.排気系 TMP210L/sec  R.P162L/min
■ オプション
10.RHEED / セル / 膜厚モニター

詳細な情報についてはこちらよりご相談ください。

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