製品種別:真空蒸着装置 製品種別詳細:真空蒸着装置 |
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概要 | 本装置は窒化ガリウム(GaN)成膜を目的とした超高真空成膜装置です。 特徴としてはGaをはじめ最大8基の蒸発源(セル)を装備でき、窒化源はラジカルビーム源(ラジカル効率を高めるイオントラッパー機構付き)を採用しております。 チャンバーの冷却には水冷ジャケット(オプションで液体窒素シュラウド選択可能)です。 |
仕様 | ・到達圧力:ロードロックチャンバー・・・・・・5×10-5Pa :成膜室・・・・・・・・・・・・・・・・・・7×10-8Pa ・基板寸法:φ1インチ〜φ3インチ対応・基板加熱温度:max1000℃ ・蒸発源:最大Kセル8基装備可能・窒化源:ラジカルビーム源(RF電源、N2ガス供給ライン付属) ・測定機器:分子線束モニター、真空計 ・付属品:ベーキングシステム、冷却水供給システム ・成膜ソフト:オプション |
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